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Flash Memory da 512 GB UFS, Samsung inizia la produzione

di 07/12/2017
 

Martedì, Samsung ha annunciato di aver avviato la produzione di chip di memoria flash UFS NAND con una capacità di 512 GB basata sul suo ultimo V-NAND 512 Gb a 64 layer. I nuovi pacchetti UFS utilizzano l’ultimo controller Samsung, che presenta alcuni miglioramenti delle prestazioni rispetto ai suoi predecessori. I nuovi dispositivi UFS dovrebbero essere utilizzati per varie applicazioni, tra cui smartphone, tablet, cuffie VR autonomi, TV e altro. Il dispositivo eUFS da 512 GB di Samsung è la prima soluzione di storage UFS integrata della società ad utilizzare l’ultima V-NAND TLC da 512 Gb a 64 layer insieme al nuovo controller che offre una gestione delle tabelle di mappatura NAND migliorata.

Il chip da 512 GB impila otto delle suddette matrici NAND ed è indicato per velocità di lettura sequenziali fino a 860 MB/s velocità di scrittura sequenziali fino a 255 MB/s, in linea con il dispositivo eUFS da 256 GB della società lanciato in 2016. Quando si tratta di operazioni casuali, l’eUFS da 512 GB di Samsung offre fino a 42.000 / 40.000 IOPS di lettura/scrittura, simili ai precedenti con IC V-NAND da 256 Gb a 256 layer. Parlando di soluzioni UFS 2.1 di precedente generazione con 64 GB, 128 GB e 256 GB di capacità, il produttore li manterrà nella flotta a causa di prestazioni, rendimento e altri motivi.