[ DIMM1: 512 MB PC3200 DDR SDRAM ]
Proprietà modulo di memoria:
Numero di serie Nessuno
Capacità modulo 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC3200 (200 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria:
@ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
Caratteristiche modulo di memoria:
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
[ DIMM2: Micron Tech. 16VDDT6464AG-335C4 ]
Proprietà modulo di memoria:
Nome modulo Micron Tech. 16VDDT6464AG-335C4
Numero di serie 21216316h (375595297)
Data di produzione Settimana 34 / 2003
Capacità modulo 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC2700 (166 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria:
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Caratteristiche modulo di memoria:
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
Produttore:
Nome società Micron Technology, Inc.
Informazioni sul prodotto
http://www.micron.com/products/category.jsp?path=/DRAM