CAS Latency
I moduli di memoria ricevono un indirizzo in due fasi successive. Con il segnale Ras (Row Address Strobe) il circuito di memoria riceve la prima Word dell’indirizzo, mentre con il segnale Cas (Column Address Strobe) la seconda. Con l’opzione CAS Latency (CL) si definisce il numero di cicli per cui il segnale Cas viene applicato alla memoria.
Più breve è l’impulso Cas, maggiore è la velocità di trasferimento dei dati. La didascalia CL2 sul modulo conferma che si tratta di DRam veloci, mentre la sigla CL3 designa moduli con velocità di trasferimento media. L’opzione CAS Latency è in grado di influire notevolmente sulla velocità della memoria e del sistema, con incrementi anche dell’8%.
Con diverse schede madri si può impostare il parametro CAS Latency al valore DDR2.5T (DDR-RAM), SD3T (SDRAM) o 2T. I due primi valori del parametro sono indicati per moduli economici o non di marca (che non recano alcuna etichetta, oppure CL3), mentre l’ultimo va usato con memorie veloci di marca. Selezionare quindi 2T per accelerare il pc. I Moduli SdRam meno recenti e più economici sono predisposti per la modalità CL3 (CAS Latency = 3). A livello di tentativo si può provare di far funzionare per prova la memoria con il valore CAS Latency = 2.
Se il sistema rimane stabile, ci sarà un guadagno in velocità. Un modulo di memoria che funziona a 133 MHz in modalità CL2 risulta notevolmente più veloce che se funzionasse a 150 MHz (dopo un overclock) ma in modalità CL3. La modalità CL2 è quindi da privilegiare se il sistema riesce a sostenerla.
RAS e CAS-Timing
Nel bios ci sono tre parametri con cui si può adattare in modo ottimale la memoria alla scheda madre, aumentando così la velocità del sistema:
• SDRAM RAS-Precharge Time
• SDRAM RAS to CAS Delay
• SDRAM Active to Precharge
Una scelta adatta dei parametri RAS e CAS-Timing aumenta le prestazioni del computer,e risulta anche importante per la stabilità di Windows. Bisogna determinare un compromesso fra prestazioni e stabilità.
Per cambiare il valore dei parametri bisogna prima impostare User Define per la voce SDRAM Configuration. Di norma CAS Latency è fissato su 3 e inoltre RAS Precharge Time = 3T, RAS to CAS Delay=3T e Active to Precharge=6T. Si parla quindi di temporizzazione 3/3/3/6, settaggio che consente solo una velocità media di trasferimento delle memorie. Riducendo il valore delle temporizzazioni, si può aumentare la velocità, ma questo aumenta l'instabilità del sistema: provare inizialmente con 2/3/3/6, poi con 2/2/3/6, poi ancora con 2/2/2/6 e così via. Verificare se il sistema rimane stabile. La massima velocità si raggiunge con 2/2/2/5, che però funziona solo con schede madri di fascia alta e un buona realizzazione del layout del circuito stampato.