Fonte Apogeo - La Memoria del Futuro
1.8 Verso i limiti fisici
Dicevo all'inizio di questa panoramica sulle evoluzioni tecnologiche che, nel caso di uso di memorie a semiconduttori, si utilizza in genere un transistor (a volte una coppia) per memorizzare un bit e che i ricercatori stanno cercando addirittura di memorizzare più bit sul singolo transistor. Anche se i transistor stanno diventando sempre più piccoli, ciascuno è formato da centinaia di atomi (nelle tecnologie a 0.13 micron un transistor è fatto da un migliaio di atomi) a cui se ne devono aggiungere 2-3 volte tanto per tenere conto degli atomi che separano un transistor dall'altro.
Figura 12: La lettera A scritta utilizzando i singoli atomi, a opera dei ricercatori di IBM.
Alcuni ricercatori, stanno spingendosi verso le frontiere della densità di memorizzazione cercando di utilizzare anziché dei transistor delle singole molecole come la Nantero21 che sta lavorando per sviluppare delle memorie basate su nanotuboli (tubicini composti da 80 atomi di carbonio che in certe condizioni possono comportarsi come un transistor). L'obiettivo è di disporre di un chip a nanotubi con una capacità di un TB entro il 2006. Chip di questo tipo sarebbero equiparabili in termini di utilizzabilità alle memorie a semiconduttori con un minor consumo di energia. Altri ricercatori vorrebbero utilizzare come unità di memorizzazione dei singoli atomi: così come la presenza o assenza di una indentatura può essere letta in un disco come uno o zero, la presenza o meno di un atomo in un certo punto può essere letta come zero o uno. Il problema è ovviamente come mettere un atomo in un certo punto e come andare a vedere in che punto è, il tutto ad una velocità che dovrà essere ancora maggiore di quella usata oggi.
In questa direzione si stanno movendo i primi passi, un esempio è nella figura 12 in cui si vede come i ricercatori, della IBM in questo caso, siano riusciti a scrivere la lettera A con dei singoli atomi. Ricercatori della Università del Wisconsin22 hanno messo a punto una tecnologia che porta gli atomi ad aggregarsi, uno ad uno, in modo regolare. Come si vede nella figura 13 vengono realizzate delle strisce di atomi, i puntini sono degli atomi di oro disposti su un substrato di silicio. Ogni striscia ha una larghezza di 5 atomi. Ogni atomo d'oro rappresenta un 1, la sua assenza uno 0. La spaziatura tra le strisce è di 1,7 nanometri mentre lo spazio tra un bit e l'altro è di 1,5 nanometri. Questa griglia consente una densità di circa 50 Tbit al cm2, il che consentirebbe di memorizzare l'equivalente di 1350 DVD in un solo cm2 .
Questa tecnologia, dimostrata in laboratorio, comporta però dei tempi lunghissimi di aggregazione degli atomi e quindi di costruzione di una memoria. Occorrerebbe aumentare la velocità di aggregazione di circa 100.000 volte per poter avere un sistema utilizzabile in pratica. Questo progresso potrebbe avvenire nel corso dei prossimi 20 anni. Siamo, comunque, più nel campo delle speculazioni che delle realizzazioni. Si può comunque osservare che un sistema di memorizzazione di questo tipo funziona con successo da diversi milioni di anni. Il DNA che abbiamo nelle nostre cellule ha una densità di memorizzazione simile a quella offerta da questa tecnologia: nel caso del DNA un bit richiede 32 atomi per la sua memorizzazione, in questa tecnologia se ne utilizzano 20 (occorre infatti tenere anche conto di quelli che formano il substrato). Altre tecniche, sempre al confine con le possibilità attuali dei laboratori più avanzati, cercano di sfruttare le caratteristiche di "spin"23, siamo quindi all'interno della struttura atomica, per immagazzinare le informazioni. Questo approccio potrebbe consentire di moltiplicare per mille la capacità di memoria24.