Samsung ha oggi annunciato di aver avviato la produzione di memoria HBM2 in stack da 8 GB da 2.4 Gbps. Ogni pin dello stack sarà in grado di trasferire dati ad una velocità di 2.4 Gbps, per un totale teorico di oltre 1 Terabyte al secondo in configurazione a quattro stack.
La nuova memoria ha un voltaggio di 1.2 V, ed offre un incremento di prestazioni di oltre il 50% rispetto alla prima generazione di HBM2 prodotta da Samsung a partire dal 2016. Con questi miglioramenti un singolo stack di HBM2 Samsung sarà in grado di offrire velocità di 307 GBps, circa dieci volte superiore rispetto alla memoria GDDR5.
