Samsung Electronics, leader mondiale nella tecnologia di memoria avanzata, ha annunciato oggi di aver lanciato un’unità di archiviazione a stato solido da 800 GB, la SZ985 Z-SSD, per le applicazioni aziendali più avanzate incluso il supercomputing e per l’analisi AI. Sviluppato nel 2017, il nuovo Z-SSD da 800 GB offre la soluzione di archiviazione più efficiente per l’elaborazione dei dati della cache e dei registri ad alta velocità, nonché altre applicazioni di storage aziendali.
“Con il nostro Z-SSD da 800 GB all’avanguardia, ci aspettiamo di contribuire in modo significativo all’introduzione sul mercato dei sistemi di supercalcolo di prossima generazione, consentendo una migliore efficienza dell’investimento IT e prestazioni eccezionali”, ha dichiarato Jinman Han, vicepresidente senior, Memory Product Planning & Application Engineering di Samsung Electronics. “Continueremo a sviluppare Z-SSD di prossima generazione con maggiore densità e maggiore competitività del prodotto, al fine di guidare il settore nell’accelerazione della crescita del mercato SSD premium”.
La nuova porta a quattro corsie Z-SSD presenta chip Z-NAND che offrono prestazioni di lettura delle celle 10 volte superiori rispetto ai chip V-NAND a B, oltre a DRAM LPDDR4 da 1,5 GB e un controller ad alte prestazioni. Armato con alcuni dei componenti più avanzati del settore, lo Z-SSD da 800 GB presenta prestazioni di lettura casuale 1,7 volte più veloci a 750K IOPS e cinque volte meno di latenza di scrittura – a 16 microsecondi, rispetto a un NVMe SSD PM963, basato su 3 -bit chip V-NAND. Lo Z-SSD offre anche una velocità di scrittura casuale fino a 170K IOPS.
Samsung presenterà il suo nuovo Z-SSD nelle versioni da 800 GB e 240 GB, così come le relative tecnologie all’ISSCC 2018 (International Solid-State Circuits Conference), che si terrà tra l’11 e il 15 febbraio a San Francisco.
