Samsung ha annunciato che sarà la prima compagnia impegnata nella produzione di massa di SoC (System on Chip) su processo produttivo FinFET a 10nm, processo che avrà almeno due iterazioni.
La scelta dei 10nm rimarca un passaggio più convenzionale alla miniaturizzazione dei componenti, visto che GlobalFoundries ha deciso di saltare i 10nm in favore del processo produttivo a 7nm. AMD è legata a GlobalFoundries e di conseguenza adotterà anch’essa i 7 nm, al contrario di Intel che pianifica di utilizzare i suoi tri-gate 10nm nel 2017. Anche TSMC avrà un processo a 10nm che si prevede sarà lanciato per fine anno. Samsung si rivela quindi la prima azienda nella produzione di massa di FinFET a 10nm, e scende in campo già pronta a rinnovare il suo processo verso uno più rifinito.
Samsung indica “un incremento del 30% nell’efficienza di utilizzo dello spazio con un guadagno prestazionale del 27% o una riduzione dei consumi del 40%. Un’enfasi particolare va data alla “o”, poiché non è possibile avere un incremento delle prestazione mentre si riduce l’energia consumata.
La compagnia si aspetta di introdurre sul mercato i primi prodotti con processo 10LPE (la prima iterazione) nella prima parte del prossimo anno e di aumentare la disponibilità più tardi.
Samsung ha anche vagamente parlato del processo 10LPP (seconda iterazione), che avrà un ovvio guadagno prestazionale e vedrà luce verso la metà del 2017, senza dare troppi dettagli.
