Samsung ha annunciato di aver iniziato la produzione in massa delle memorie di quinta generazione con tecnologia V-NAND. La next-gen di Samsung potrà vantare più di 90 layers di data storage e l’incredibile velocità di 1.4Gbps.
Insieme all’annuncio, la casa coreana ha anche accennato ai futuri prodotti QLC (quad-level cell). Questi chip saranno riservati probabilmente alle aziende ed andranno a colmare il vuoto nella lineup del produttore.
Ciò che è certo è che Samsung voglia mantenere un netto miglioramento rispetto alla quarta generazione, e parla di una velocità di scrittura del 40% più veloce grazie alla tecnologia Toggle DDR 4.0.
